聯(lián)電推出55nm BCD特色工藝平臺
10月23日消息，中國臺灣晶圓代工企業(yè)聯(lián)華電子宣布推出55nm BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 工藝平臺。
據(jù)悉，聯(lián)電的55nm BCD平臺包含非外延/磊晶 (Non-EPI)、外延/磊晶 (EPI)、絕緣層上硅 (SOI) 三類制程，同時整合了UTM超厚金屬層、eFLASH嵌入式閃存、RRAM憶阻器等技術(shù)。
這一特色制程能在單一芯片上集成模擬、數(shù)字與電力元件，廣泛應用于電源管理與混合信號集成電路，可提升移動設(shè)備、消費電子、汽車工業(yè)應用產(chǎn)品的能效表現(xiàn)。
（JSSIA整理）