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第三代半導(dǎo)體
 
Imec聯(lián)合五家企業(yè)推進(jìn)12英寸氮化鎵項(xiàng)目
 2025-10-10
 

10月8日消息,Imec(比利時(shí)微電子研究中心)近期宣布,AIXTRON、格芯、科磊、新思科技和維易科五家公司成為12英)氮化鎵低壓和高壓電力電子應(yīng)用開(kāi)放創(chuàng)新計(jì)劃的首批合作伙伴。

 

上述項(xiàng)目是Imec氮化鎵電力電子工業(yè)聯(lián)盟計(jì)劃(IIAP)的組成部分,旨在研發(fā)300毫米氮化鎵外延生長(zhǎng)技術(shù),以及低壓、高壓氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝流程。

 

Imec表示,向300毫米晶圓轉(zhuǎn)型的優(yōu)勢(shì)不僅限于擴(kuò)大產(chǎn)能和降低制造成本,而且還將推動(dòng)更先進(jìn)電力電子器件的研發(fā),例如用于CPU和GPU的高效低壓負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器。Imec在成功完成300毫米晶圓處理測(cè)試與掩模版研發(fā)后,正式啟動(dòng)了此次項(xiàng)目,并計(jì)劃于2025年底前在其300毫米潔凈室中全面部署相關(guān)技術(shù)能力。

 

(來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察/JSSIA整理)